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辐射EMI的抑制措施

发布时间:2019-11-29 06:44 来源:未知 编辑:admin

  干扰,可以应用电压缓冲电路,如在开关管两端并联ROD缓冲电路,或电流缓冲电路,如在开关管的集电极上串联20~80μH的电感。 |

  开关管的集电极是一个强干扰源9开关管的散热片应接到集电极上,以确保集电极与散热片之间由于分布电容而产生的电流流入主电路中。为了减小散热片和机壳之间的分布电容,散热片应尽量远离机壳,如有条件的话可以采用有屏蔽措施的散热片。整流二极管应采用恢复电荷小,且反向恢复时间短的二极管,如肖特基二极管,最好是选用反向恢复为软特性的二极管。另外,在肖特基管两端套上磁珠和并联RC吸收网络都可以减小干扰。电阻、电容的取值可以是几欧姆和数千微微法,电容的引线应尽可能短,以减小引线电感。

  负载电流越大、二极管的反向恢复时间也越长,则尖峰电流的影响也越大。采用多个二极管并联分担,可以降低短路尖峰电流的影响。

  开关电源必须屏蔽,采用模块式全密封结构,一般用1mm以上厚度的镀锌钢板,屏蔽层必须良好接地,可以抑制干扰的电磁耦合。将高频脉冲变压器、输出滤波电感等磁性元件加上屏蔽罩,可以将磁力线限制在磁阻小的屏蔽体内。

  例如,对于辐射干扰超过标准限值20dB的某开关电源,采用了如下一些在实验室容易实现的措施进行了改进:

  (2)在开关管的G极输入端并联50pF的电容,与原有的39Ω电阻形成一个RC低通滤波器;

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